УДК 537.872.31.029.66/.71, 621.315.595
ГЕНЕРАЦИЯ ТЕРАГЕРЦОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ПРИ МЕЖЗОННОМ
ФОТОВОЗБУЖДЕНИИ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЁВ n-GaN
А. О. Захарьин1, А. В.
Бобылев1,2, А. А. Усикова1, А. В. Андрианов1
1 Физико-технический институт им. А.Ф.
Иоффе РАН
2 Национальный исследовательский
университет «Санкт-Петербургский государственный политехнический университет»
Получена 17 декабря 2012 г.
Аннотация. Сообщается об экспериментальном обнаружении и
исследовании люминесценции в терагерцовой (ТГц) области спектра при
стационарном межзонном фотовозбуждении эпитаксиальных слоёв n-GaN(Si). Свойства
обнаруженного ТГц излучения свидетельствуют о том, что излучение возникает
вследствие захвата неравновесных электронов на ионизованные донорные центры.
Оптические переходы типа 2P → 1S между первым возбуждённым и основным
состоянием донорной примеси вносят основной вклад в ТГц фотолюминесценцию.
Ключевые слова: спектроскопия, терагерцовое излучение, легированные
полупроводники, фотолюминесценция.
Abstract:
We report on experimental
observation and study of terahertz (THz) luminescence under continuous-wave
interband excitation of n-GaN(Si) epitaxial layers. Properties of the THz
emission show that the emission occurs due to capture of non-equilibrium
electrons on ionized donor centers. Optical transitions of 2P → 1S type
between first excited and ground donor states give main contribution in THz
photoluminescence.
Keywords: spectroscopy, terahertz radiation, doped
semiconductors, photoluminescence.