Влияние
электрического поля на фотолюминесценцию кремниевых нанокристаллов в пленках SiO2
А.
В. Герт 1, 2, К. С Журавлев
1
1 Институт
физики полупроводников СО РАН
2 Физико-технический
институт РАН
Получена 11 декабря
2012 г.
Аннотация. Проведены исследования влияния электрического поля на
фотолюминесценцию нанокристаллов кремния, сформированных в слое диоксида
кремния. Обнаружено, что приложение внешнего электрического поля приводит к
красному сдвигу максимума полосы фотолюминесценции нанокристаллов кремния и понижению
интенсивности фотолюминесценции. Кинетика не изменялась.
Ключевые слова:
фотолюминисценция,
кремниевые
нанокристаллы, пленки оксида кремния, влияние электрического поля.
Abstract:
In the paper
the investigations of electric field influence on photoluminescence of the
silicon nanocrystals formed in the dioxide silicon layer are carried out. It has
been found that applying of external electric field leads to the red shift of
the maximum of the photoluminescence band of the silicon nanocrystals and to the
reducing of photoluminescence intensity.
Keywords:
photoluminescence, silicon nanocrystal, silicon oxide film, influence of
electric field.