Полуизолирующие 6H-SiC подложки для применения в современной электронике

 

А. А. Лебедев ^1,5, С. В. Белов ¹, С. П. Лебедев ^1,5, Д.П. Литвин ^1,2 , И. П. Никитина ¹,
А. В. Васильев ², Ю. Н. Макаров ², С. С. Нагалюк ², А. Н. Смирнов ^1,5, В.В. Попов ³,
В. Н. Вьюгинов ⁴, Р. Г. Шифман ⁴, Ю. С. Кузмичёв ⁴, Н. К. Травин ⁴, О. В. Венедиктов  ⁴

¹ ФГБУН Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН
² ГК «Нитридные кристаллы, Санкт-Петербург

³ ОАО «Светлана» , Санкт-Петербург
⁴ ЗАО «Светлана-Электронприбор», Санкт-Петербург

⁵  Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

 

Статья получена 6 февраля 2014 г.

 

Аннотация. В настоящей статье проведено исследование полуизолирующих подложек 6H-SiC производства ЗАО «Светлана-Электронприбор». Показано, что выращенные подложки по своим параметрам практически не уступают аналогичным подложкам производства ведущих мировых компаний. Рассмотрены возможные применения данного материала в производстве различных электронных приборов

Ключевые слова: полуизолирующий карбид кремния, полевые транзисторы, нитрид галлия, графен.

Abstract: In this paper a study of semi-insulating 6H-SiC substrates production "Svetlana-Electronpribor". It was shown that substrate grown by its parameters are not inferior to similar substrates produced by leading world companies. Consider the possible applications of this material in the production of various electronic devices

Key words: semi-insulating silicon carbide field effect transistors, gallium nitride, graphene.