УДК 538.958, 546.03
ИССЛЕДОВАНИЕ
d - ЛЕГИРОВАННЫХ n-i-p-i-n СТРУКТУР
GaAs МЕТОДОМ СПЕКТРОСКОПИИ ФОТООТРАЖЕНИЯ
Л.
П. Авакянц1, П. Ю. Боков1, И. В. Бугаков1,
Т. П. Колмакова2, А. В. Червяков1
1
физический факультет МГУ имени М.В. Ломоносова, кафедра общей физики
2 ОАО «Оптрон», Москва
Получена 15 января 2010 г.
Аннотация. Методом
спектроскопии фотоотражения исследованы полупроводниковые nipin-структуры арсенида галлия с
дельта-легированными слоями p-типа. Из анализа осцилляций Франца-Келдыша определены
напряженности встроенных электрических полей и энергии межзонных переходов
структуры. Обнаружено увеличение энергии межзонного перехода в области
дельта-легирования, что объясняется эффектом Бурштейна-Мосса вследствие фотогенерации
носителей.
Ключевые слова: гетеоструктуры, фотоотражение,
дельта-легирование.