УДК 621.38-022.532
IN-SITU ПАССИВАЦИЯ
НИТРИДНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР С ТОНКИМИ БАРЬЕРНЫМИ СЛОЯМИ ДЛЯ ТРАНЗИСТОРОВ С ВЫСОКОЙ
ПОДВИЖНОСТЬЮ ЭЛЕКТРОНОВ
А. А. Андреев, М. Л.
Занавескин, И. О. Майборода, В. В. Москвин, П. А. Перминов
Национальный исследовательский центр «Курчатовский
институт»
Статья получена 25 декабря 2013 г.
Аннотация. В
работе методом молекулярно-лучевой эпитаксии получены Ga-полярные
гетероструктуры для транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе
гетеропереходов AlGaN/AlN/GaN и
AlN/GaN
с общей толщиной барьерного слоя 11 нм и 3 нм соответственно. Благодаря
использованию технологии in-situ
пассивации поверхности диэлектриком Si3N4
достигнуты слоевые сопротивления проводящего канала менее 300 Ом/кв. Обнаружен
эффект диффузии кремния из слоя пассивации в область проводящего канала,
зависящий от температуры подложки в процессе осаждения пассивирующего слоя.
Ключевые слова: транзисторы
с высокой подвижностью электронов, GaN,
in-situ пасивация,
диффузия кремния.
Abstract. In
this study Ga-polar heterostructures for high electron mobility transistors
based on AlGaN/AlN/GaN and AlN/GaN heterojunctions with total barrier thickness
of 11 and 3 nm respectively are obtained using molecular beam epitaxy. Due to
in-situ SiNx surface passivation conducting channel sheet resistance
less then 300 Ω/□ is achieved. Temperature dependent diffusion of Si
atoms from passivation layer to conducting channel is detected.
Key words:
HEMT, GaN, in-situ passivation, silicon diffusion.