УДК 621.3.049.7.029
Модель накопления повреждений интегральными
микросхемами в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения
А. В. Ключник1, Ю. А. Пирогов2,
А. В. Солодов1
11Федеральное
государственное унитарное предприятие “Московский радиотехнический институт
Российской Академии наук”,
2Московский
государственный университет им. М.В.Ломоносова, Центр магнитной томографии и
спектроскопии
Получена 29 июня 2010 г.
Аннотация. Представлены результаты анализа влияния накопления тепла в
кристалле ИМС, при воздействии последовательности импульсов радиоизлучения, на
формирование дефектов в структуре ИМС и вероятность её повреждения.
Ключевые слова: модель, накопление, повреждение, интегральные микросхемы, радиоимпульс.