Влияние механических напряжений в полупроводниковой гетероструктуре на плотность
p-n-переходов

Е. Л. Панкратов
Нижегородский архитектурно-строительный университет

Получена 31 мая 2011 г.

 
Аннотация. Ранее было показано, что многослойность полупроводниковой гетероструктуры и оптимизация длительности отжига позволяют уменьшить глубину залегания p-n-переходов и увеличить равномерность распределения примеси в легированной области. Ранее также было показано, что механические напряжения в гетероструктуре влияют на форму распределения примеси в направлении, перпендикулярном границам раздела гетероструктуры. В данной работе рассматривается способ увеличения плотности p-n-переходов на поверхности гетероструктуры за счет использования механических напряжений.
Ключевые слова: увеличение резкости p-n-переходов; увеличение плотности p-n-переходов; оптимизация отжига; влияние напряжений между слоями гетероструктуры.
Abstract. It has been recently shown, that inhomogeneity of semiconductor heterostructure and optimization of annealing time leads to decrease depth of p-n-junctions and to increase homogeneity of dopant distribution in doped area. It has been also recently shown, that mechanical stress in two layer heterostructure (substrate and epitaxial layer) changes dopant distribution in heterostructure in directions, which are perpendicular to interface between layers of heterostructure, in comparison with unstressed sample. In this paper we consider an alternative approach to increase density of p-n-junctions in the same heterostructure by using overlayer. The overlayer leads to additional mechanical stress and as being due to increasing of density of p-n-junctions in the heterostructure.
Keywords: increasing of sharpness of p-n-junctions; increasing of density of p-n-junctions; optimization of annealing; influence of stress between layers in heterostructure.