"ЖУРНАЛ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ" N 6, 2015

оглавление              текст:   html,   pdf   

УДК 621.372.832  

ПРИМЕНЕНИЕ ШЛЕЙФНЫХ СТРУКТУР В

МНОГОКАНАЛЬНЫХ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИХ УСТРОЙСТВАХ СВЧ

 

И. А. Петров

ФГУП «ЦНИРТИ им. академика А.И. Берга»

 

Статья получена 23 июня 2015 г.

 

Аннотация. В статье рассматриваются принципы проектирования многоканальных СВЧ переключателей с полупроводниковыми элементами. Анализируются достоинства и недостатки различных схем переключателей. Показано, что применение шлейфных структур с короткозамкнутыми и разомкнутыми шлейфами позволяет расширять диапазон рабочих частот, увеличивать уровни переключаемой мощности, уменьшать ослабление в открытых и увеличивать ослабление в закрытых каналах, уменьшать габариты.

Ключевые слова: шлейфные структуры, переключатели, полупроводниковые элементы.

Abstract. Principles of the designing switching devices with semiconductor elements are considered in article. Value and defect of the different schemes of the switches are given analysis. Using Shunting Structures with short-circuit and open-circuit stub, allows to increase the range a worker frequencies, enlarge the level to power, reduce the weakening in opened and enlarge the weakening in closed channel, reduce the size.

Keywords: shunting structures, switching devices, semiconductor elements.