"ЖУРНАЛ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ" N 5, 2011

оглавление              текст:   html,   pdf   

 

Применение радиационной обработки материалов для уменьшения глубины залегания p-n-переходов в полупроводниковой гетероструктуре

Е. Л. Панкратов

Нижегородский архитектурно-строительный университет

Получена 13  мая 2011 г.

Аннотация. Ранее было показано, что формирование диффузионных и имплантационных p-n-переходов в полупроводниковых гетероструктурах и оптимизация отжига позволяет сформировать более мелкие p-n-переходы с более равномерным распределением примеси. В данной работе рассматривается возможность применения радиационной обработки материалов для одновременного усиления обоих эффектов.

Ключевые слова: увеличение резкости p-n-переходов; радиационная обработка материалов.

Abstract. Recently it has been elaborated an approach to decrease depth of diffusive- and implanted-junction rectifiers by manufacturing the rectifiers in a semiconductor heterostructure and optimization of annealing of dopant and radiation defects. At the same time with decreasing of depth of p-n-junction homogeneity of dopant distribution in doped area increases. In this paper we analyzed possibility to increase the both effects at one time by radiation processing of materials of the heterostructure.

Keywords: increasing of sharpness of a p-n-junctions; radiation processing of materials.