УДК 621.382

 

МОДЕЛИРОВАНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ
ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ МОЩНОГО СВЧ-ИМПУЛЬСА. СТРУКТУРЫ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ

 

С. А. Мещеряков

 

Федеральное автономное учреждение "Государственный научно-исследовательский испытательный институт
проблем технической защиты информации ФСТЭК России"

 

Получена 12 ноября 2013 г.

 

Аннотация. В рамках численной модели в диффузионно-дрейфовом тепловом приближении приведены результаты моделирования физических процессов, протекающих в кремниевых структурах с барьером Шоттки при воздействии импульсного сверхвысокочастотного электромагнитного излучения. Представлены энергомощностные и температурные характеристики структур в широком диапазоне длительностей однократного импульсного воздействия в зависимости от их конструктивно-технологических параметров.

Ключевые слова: численная модель, диффузия, дрейф, структура с барьером Шоттки, СВЧ-импульс, тепловое поражение.

Abstract. Results of simulation of the physical processes in silicon Schottky-barrier structures at microwave pulse action of electromagnetic radiation are given within the limits of numerical model in drift-diffusion thermodynamic approach. Power and temperature characteristics of structures in durations wide range of the single pulse action depending on their constructive-technological parameters are presented.

Key words: numerical model, diffusion, drift, Schottky-barrier structure, microwave pulse, thermal damage.