|
|
"ЖУРНАЛ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ" N 10, 2002 | оглавление |
|
Григорьевский В.И.,Личманов А.А.,Яковлев Ю.О.
Институт радиотехники и электроники РАН.
Получена 28 октября 2002 г.
В работе проведено исследование неоднородности фоточуствительной площадки лавинных фотодиодов SSO-AD-500 NF фирмы Silicon Sensor по временному отклику модулирующих высокочастотных сигналов. Показано, что при диаметре фоточуствительной площадки 500 мкм, запаздывание высокочастотного сигнала от края площадки к ее центру может составлять более 100 пксек. В лучших образцах неоднородность составляет 20 пксек Корреляции между временной и амплитудной неоднородностью не наблюдалось. Для высокоточных измерений временных интервалов на оптической несущей необходимо проводить отбор лучших образцов фотодиодов.
 |
оглавление |  |