УДК: 621.383.933:621.3.029.78
Изменение Вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур
AlGaInP красного и желтого цвета свечения при
облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами
А. В. Градобоев 1,2,
К. Н. Орлова 1, И. А. Асанов 2
1 Юргинский
технологический институт (филиал) Национального исследовательского Томского
политехнического университета,
2ОАО «Научно-исследовательский
институт полупроводниковых приборов», г.
Томск
Получена
17 октября 2013 г.
Аннотация.
Представлены результаты исследования вольт-амперных характеристик светодиодов
на основе гетероструктур AlGaInP
красного (630 нм) и желтого (590 нм) свечения при облучении гамма-квантами 60Со
дозой до 5∙106 Гр и быстрыми
нейтронами флюенсом 2∙1014н/см2
в пассивном режиме питания. Показано, что в исследуемом диапазоне доз и
флюенсов видимые изменения в вольт-амперных характеристиках (ВАХ) отсутствуют.
При этом на ВАХ отчетливо обнаруживаются два этапа, которые согласно оценкам
соответствуют областям средней и сильной инжекции. Подробное рассмотрение ВАХ
светодиодов в полулогарифмическом масштабе позволяет ассоциировать данные
области с двумя механизмами токообразования – инжекцией носителей заряда и
инжекцией носителей заряда наряду с модуляцией сопротивления активной области
гетероструктур AlGaInP.
Ключевые слова:
гетероструктуры AlGaInP,
радиационная стойкость, светодиоды.
Abstract. Research results of the current-voltage characteristics of red
(630 nm) and yellow (590 nm) AlGaInP light-emitting diodes are presented under
irradiation by gamma rays to 60Co dose of 5∙106 Gy
and fast neutron fluence of 2∙1014 n/cm2. An
operating mode is passive. It is shown that changes in the current-voltage characteristics
are absent in the all dose and fluences range. The current-voltage characteristics
found two distinct phases, which are estimated to correspond to areas of
average and strong injection. Detailed investigation of the current-voltage
characteristics of LEDs allows to associate these areas with two mechanisms of
current generation - the injection of charge carriers and the injection of
charge carriers along with the modulation of the AlGaInP active field
resistance in the semi-logarithmic scale.
Keywords:
heterostructures AlGaInP, radiation hardness, light-emitting diodes.