ЛОКАЛЬНОЕ ИЗМЕРЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ МАТЕРИАЛОВ С ПОМОЩЬЮ ТЕРАГЕРЦОВОЙ ДЖОЗЕФСОНОВСКОЙ СПЕКТРОСКОПИИ

 

А. В. Снежко^1,2, В. В. Павловский¹, В. Н. Губанков¹, В. И. Покалякин¹

¹Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

²Московский физико-технический институт (ГУ)

 

Статья получена 15 сентября 2015 г.

 

Аннотация. В работе продемонстрирована методика локального определения действительной части диэлектрической проницаемости различных материалов c малым тангенсом угла потерь, основанная на джозефсоновской спектроскопии, в терагерцовой области частот. Для () r-сапфира и (001) NdGaO₃ получены значения ε_sapphire = 9.6 при частоте f=155,2 ГГц и ε_NGO = 23 при частоте f=106,4 ГГц, соответственно.

Ключевые слова: терагерцовая электроника, сверхпроводимость, джозефсоновский переход.

Abstract. In the paper a method based on Josephson spectroscopy for local measurement of real dielectric permittivity of different materials with low losses is demonstrated. Dielectric permittivities of r-cut sapphire ε_sapphire = 9.6 at f=155,2 GHz and (001) NdGaO₃ ε_NGO = 23 at f=106,4 GHz are obtained.

Key words: terahertz electronics, superconductivity, Josephson junction.