|
|
"ЖУРНАЛ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ" N 4, 2003 | оглавление |
|
Электрополевой гистерезис в гетеросистеме
n-AlGaAs/GaAs с 2D электронами
В.И. Кадушкин, e-mail: kadush@ttc.ryazan.ru
Рязанский государственный педагогический университет.
Получена 02 апреля 2003 г.
Обнаружено явление электрополевого гистерезиса вольтамперной характеристики (ВАХ) латеральной проводимости одиночного гетероперехода AlxGa1-xAs(Si)/GaAs при фиксированных температурах 4.2 и 77 К. Петля гистерезиса при циклировании вырождается в обратимую ветвь ВАХ существенно различным образом для указанных температур. Эффект гистерезиса восстанавливается при отогревании до комнатной температуры. Качественное объяснение наблюдаемому явлению было дано в предположении несимметричности электрополевой активизации DX – центров границы раздела гетероперехода. Выполнены оценки некоторых параметров DX – центров.
 |
оглавление |  |