УДК: 621.383.933:621.3.029.78

 Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами

 

А. В. Градобоев ^1,2, К. Н. Орлова ¹, И. А. Асанов²

¹Юргинский технологический институт (филиал) Национального исследовательского Томского политехнического университета
²ОАО «Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов», г. Томск

Получена 19 апреля 2013 г.

Аннотация. Представлены результаты исследования деградации параметров гетероструктур AlGaInP красного (630 нм) и желтого (590 нм) свечения на примере светодиодов при облучении гамма-квантами ⁶⁰Со в пассивном режиме питания. Показано, что деградация светового потока обусловлена введением двух типов центров безизлучательной рекомбинации радиационного происхождения. Первый центр, предположительно, связан с радиационной перестройкой имеющейся дефектной структуры, а второй – имеет чисто радиационное происхождение. Установлено, что световой поток диодов при облучении уменьшается пропорционально дозе облучения и обратно пропорционально величине рабочего тока.

Ключевые слова: гетероструктуры AlGaInP, радиационная стойкость, светодиоды.

Abstract. Research results of red (630 nm) and yellow (590 nm) InGaAlP heterostructures are presented as an example the light-emitting diodes under irradiation by gamma rays ⁶⁰Со. An operating mode is passive. The process of degradation light output power is shown in two stages. In the first stage decrease is caused by first type center of nonradiative recombination. It is possible, first type is explained reorganization of existing defect structure. The second type is explained to injection of the centers of purely radiative origin. It is postulated, that light output power decreases proportionally dose gamma-irradiation and inversely operating current.

Keywords: heterostructures AlGaInP, radiation hardness, light-emitting diodes.