"ЖУРНАЛ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ" N 8, 2011

оглавление              текст:   html,   pdf   

УДК 537.311.322 

квантово-энергетические и кинетические свойства материалов кремниевой наноэлектроники на основе кластеров Si2-Si10

 А. Н. Власов, В. В. Филиппов
Липецкий государственный педагогический университет, кафедра физики

Получена 27 июня 2011 г., после доработки – 22 августа 2011 г.

Аннотация. Выполнен анализ квантовохимических методов расчета структурных, энергетических и транспортных параметров кремниевых наночастиц. Рассмотрено влияние заряда структуры на физические параметры наночастицы, определяющие свойства переноса заряда. Показано, что для качественной оценки свойств стабильности, геометрии и электронной структуры, кремниевых наночастиц можно использовать метод NDDO PM3. Представлены результаты оптимизации атомной структуры, расчет и анализ электронных характеристик кремниевых кластеров Si2-Si10 методом PM3.

Ключевые слова: полупроводниковые наночастицы, кремний, квантовохимические методы, энергетические характеристики.

Abstract. The analysis of quantum chemical methods for calculating the structural, energy and transport parameters of silicon nanoparticles. The effect of the charge structure on the physical parameters of the nanoparticles determine the properties of charge transfer. It is shown that for a qualitative assessment of the properties of stability, geometry and electronic structure of silicon nanoparticles can use the method NDDO PM3. The results of optimization of atomic structure, calculation and analysis of electronic properties of silicon clusters Si2-Si10 method PM3.

Keywords: semiconductor nanoparticles, silicon, quantum-chemical methods, the energy characteristics.