О способе увеличения степени
интеграции элементов в схеме двухкаскадного усилителя с компенсацией Миллера
Е. Л. Панкратов 1,2
1 Нижегородский государственный
университет им. Н.И. Лобачевского,
603950, Нижний Новгород, пр. Гагарина 23
2 Нижегородский государственный
технический университет им. Р.Е. Алексеева, 603950, Нижний Новгород, ул. Минина 24
Статья поступила в редакцию 10 июля 2019 г.
Аннотация. В данной работе рассматривается способ увеличения степени
интеграции элементов в схеме двухкаскадного усилителя с компенсацией Миллера. В
рамках данного метода необходимо формирование гетероструктуры специальной
конфигурации, легировать необходимые участки данной гетероструктуры с помощью
диффузии или ионной имплантации и оптимизировать отжиг примеси и/или радиационных
дефектов.
Ключевые слова: двухкаскадный усилитель с компенсацией Миллера; увеличение
плотности полевых транзисторов; прогноз технологического процесса; аналитическая
методика анализа.
Abstract. In this paper we introduce an
approach to increase integration rate of elements of a two stage amplifier with
Miller compensation. Framework the approach we consider a heterostructure with
special configuration. Several specific areas of the heterostructure should be
doped by diffusion or ion implantation. Annealing of dopant and/or radiation
defects should be optimized.
Keywords: two stage amplifier with Miller
compensation; increasing integration rate of field-effect heterotransistors;
optimization of manufacturing.
Для цитирования:
Е. Л. Панкратов. О способе
увеличения степени интеграции элементов в схеме двухкаскадного усилителя с
компенсацией Миллера. Журнал радиоэлектроники [электронный журнал]. 2019. № 8.
Режим доступа: http://jre.cplire.ru/jre/aug19/9/text.pdf
DOI 10.30898/1684-1719.2019.8.9