Применение пористых слоев и оптимизация отжига примеси для увеличения резкости p-n-переходов в биполярных гетеротранзисторах

Е. Л. Панкратов
Нижегородский архитектурно-строительный университет

Получена 14 февраля 2011 г. 

Аннотация. В данной работе рассматривается способ уменьшения глубины залегания биполярного транзистора в полупроводниковой гетероструктуре, а также увеличения равномерности распределения примеси в легированной области. Данный метод базируется на использовании многослойности гетероструктуры и оптимизации отжига. Для усиления обоих эффектов используется дефектность (пористость) одного из слоев гетероструктуры.
Ключевые слова: увеличение резкости p-n-переходов; оптимизация отжига; биполярные гетеротранзисторы; гетероструктуры с пористыми слоями.

Abstract. In this paper we consider an approach to decrease depth of p-n-junctions in a bipolar transistor in a semiconductor heterostructure. At one time with the decreasing of the depth homogeneity of dopant distributions in doped area increases. The approach based on application of inhomogeneity of the heterostructure and optimization of annealing time. To increase the both effects (decreasing of the depth and increasing of homogeneity of dopant distributions) it could be used inhomogenous distribution of defects (for example, porous) of materials of the heterostructure of materials.
Keywords: increasing of sharpness of p-n-junctions; optimization of annealing; bipolar heterotransistors; heterostructures with porous layers.