"ЖУРНАЛ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ" N 1, 2014

оглавление              текст:   html,   pdf   

УДК 621.38-022.532

IN-SITU ПАССИВАЦИЯ НИТРИДНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР С ТОНКИМИ БАРЬЕРНЫМИ СЛОЯМИ ДЛЯ ТРАНЗИСТОРОВ С ВЫСОКОЙ ПОДВИЖНОСТЬЮ ЭЛЕКТРОНОВ

 

А. А. Андреев, М. Л. Занавескин, И. О. Майборода, В. В. Москвин, П. А. Перминов

Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт»

Статья получена 25 декабря 2013 г.

 

Аннотация.  В работе методом молекулярно-лучевой эпитаксии получены Ga-полярные гетероструктуры для транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе гетеропереходов AlGaN/AlN/GaN и AlN/GaN с общей толщиной барьерного слоя 11 нм и 3 нм соответственно. Благодаря использованию технологии in-situ пассивации поверхности диэлектриком Si3N4 достигнуты слоевые сопротивления проводящего канала менее 300 Ом/кв. Обнаружен эффект диффузии кремния из слоя пассивации в область проводящего канала, зависящий от температуры подложки в процессе осаждения пассивирующего слоя.

Ключевые слова: транзисторы с высокой подвижностью электронов, GaN, in-situ пасивация, диффузия кремния.

Abstract.  In this study Ga-polar heterostructures for high electron mobility transistors based on AlGaN/AlN/GaN and AlN/GaN heterojunctions with total barrier thickness of 11 and 3 nm respectively are obtained using molecular beam epitaxy. Due to in-situ SiNx surface passivation conducting channel sheet resistance less then 300 Ω/□ is achieved. Temperature dependent diffusion of Si atoms from passivation layer to conducting channel is detected.

Key words: HEMT, GaN, in-situ passivation, silicon diffusion.