Репрограммируемая однородная вычислительная структура на основе ПЭМП

 

Б. А. Панфилов, Ю. Б. Панфилов

Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

 

Статья получена 12 января 2014 г.

 

Аннотация. Металлоподобная перемычка (МП) возникает в результате полярнозависимого электромассопереноса в кремнии (ПЭМП). Воздействием специально сформированных импульсов возможно изменять толщину МП. На основе МП могут быть изготовлены резистивная матрица памяти (РМП) и коммутационная матрица (КМ). В свою очередь на основе РМП и КМ может быть создано новое устройство программируемой логики - репрограммируемая однородная вычислительная структура на основе ПЭМП.

Ключевые слова: металлоподобная перемычка, полярнозависимый электромассоперенос в кремнии, резистивная матрица, коммутационная матрица, программируемая логика.

Abstract. Metal-jumper (MP) is the result of  polar dependent electro migration in silicon (PDEM.  It is possible to change the thickness of the MP by the  the influence of specially shaped pulses.  The resistive memory matrix (RMM) and the switching matrix (SM) can be made on the basis of the MP. In turn the new device: programmable logic - reprogrammable homogeneous computing structure based on PDEM can be created on the basis of RMM and SM.

Key words: metal-jumper, polar dependent electro migration in silicon, resistive matrix, switching matrix, programmable logic.