УДК: 621.383.933:621.3.029.78
Информативность
прямой ветви ВАХ приборов на основе p-n-перехода
А. В. Градобоев, А.
В. Симонова, К. Н. Орлова
Национальный
исследовательский Томский политехнический университет,
634050,
Томск, пр. Ленина 30
Статья
поступила в редакцию 19 декабря 2018 г.
Аннотация. В работе на примере светодиодов
представлен комплекс методов определения сопротивления базы p-n-перехода и
сопротивления омических контактов путем измерения прямой ветви вольт-амперной
характеристики. Изложенные методы позволяют контролировать изменение
электрофизических характеристик активных слоев приборов на основе p-n-перехода
и изменение сопротивления омических контактов металл-полупроводник в результате
действия различных факторов (длительная наработка, различные виды ионизирующего
излучения и т.д.). Практическая реализация предлагаемых методов определения
сопротивления омических контактов и сопротивления базы достаточно проста и не
требует применения дорогостоящего оборудования.
Ключевые
слова: p-n-переход, прямая
ветвь ВАХ, сопротивление базы, сопротивление омических контактов.
Abstract. On the
LEDs example the work presents a set of determining methods the p-n junction
base resistance and the ohmic contacts resistance by measuring the direct
branch of the current-voltage characteristic. The described methods allow you
to control the electrophysical characteristics change of the active layers devices
based on the p-n-junction and the change in resistance of metal-semiconductor
ohmic contacts as a result of various factors (prolonged operating time,
various types of ionizing radiation, etc.). The practical
implementation of the proposed methods for determining the ohmic contacts
resistance and the resistance of the base is quite simple and does not require
the expensive equipment use.
Key words: p-n-junction,
direct branch of VI characteristic, base resistance, ohmic contacts resistance.
Для цитирования:
А. В. Градобоев, А. В. Симонова,
К. Н. Орлова. Информативность прямой ветви ВАХ приборов на основе p-n-перехода. Журнал радиоэлектроники
[электронный журнал]. 2019. №1. Режим доступа: http://jre.cplire.ru/jre/jan19/8/text.pdf
DOI 10.30898/1684-1719.2019.1.8