УДК 621.382

МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕПЛОВОГО ПОРАЖЕНИЯ ДИОДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР
ПОЛИИМПУЛЬСНЫМ СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫМ РАДИОИЗЛУЧЕНИЕМ

 

С. А. Мещеряков

Федеральное автономное учреждение "Государственный научно-исследовательский
испытательный институт проблем технической защиты информации ФСТЭК России"

 

Получена 2 апреля 2013 г., после доработки - 3 июля 2013г.

 

Аннотация. В рамках численной модели в диффузионно-дрейфовом тепловом приближении приведены результаты моделирования энергомощностных и температурных характеристик для диодных биполярной структуры и структуры с барьером Шоттки на основе кремния при воздействии последовательности импульсов сверхвысокочастотного (СВЧ) электромагнитного излучения. Показана определяющая роль тепловой релаксации в поведении энергетических характеристик полупроводниковых структур при тепловом поражении полиимпульсным СВЧ-воздействием. Определены характерные области частотных зависимостей полученных энергомощностных характеристик.

Ключевые слова: численная модель, диодная структура, СВЧ-импульс, полиимпульсный режим, тепловое поражение.

Abstract: Within the limits of numerical model in drift-diffusion thermal approach results of microwaves multipulse mode thermal failure power and temperature characteristics simulation for silicon diode bipolar and Schottky-barrier structures are presents. Determinative function of thermal relaxation in behavior of energy semiconductor structures characteristics by multipulse microwave action thermal failure is demonstrated. Characteristic regions of power characteristic frequency dependences are determinate.

Key words: numerical model, diode structure, microwave pulse, multipulse mode, thermal failure.