"ЖУРНАЛ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ" ISSN 1684-1719, N 7, 2019

оглавление выпуска         DOI  10.30898/1684-1719.2019.7.6     текст статьи (pdf)   

УДК 681.518.3

Измерение перекрестных тепловых сопротивлений силовых модулей

 

В. И. Смирнов 1,2, В. А. Сергеев 1,2, А. А. Гавриков 1, А. М. Шорин 2

1 Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники  им. В. А. Котельникова Российской академии наук, 432071, Ульяновск, ул. Гончарова  д.48/2

2 Ульяновский государственный технический университет

432027, Ульяновск, ул. Северный венец, 32

 

Статья поступила в редакцию 12 июля 2019 г.

 

Аннотация. Представлены результаты измерения перекрестных тепловых сопротивлений (связей) силовых модулей на MOSFET-транзисторах. В основу измерений положен метод, использующий воздействие на объект измерения тепловой мощности, модулированной по гармоническому закону, и измерении температурного отклика объекта на такое воздействие. Измерения проводились с помощью измерителя теплового сопротивления, который позволяет нагревать индивидуально каждый транзистор силового модуля и измерять при этом температурный отклик остальных транзисторов. Определение компонент матрицы тепловых импедансов объекта осуществлялось на основе анализа зависимости теплового импеданса от частоты модуляции греющей мощности. Данный метод может быть использован не только для силовых модулей на MOSFET- или IGBT-транзисторах, но также и для гибридных микросхем или печатных плат.

Ключевые слова: тепловое сопротивление, матрица тепловых импедансов, силовые модули, модуляционный метод.

Abstract. The paper describes the results of measuring cross coupling characteristics of power MOSFET-modules. Measurements are based on the method using device under test heating by harmonically varying power and measuring the temperature response to such impact. Measurements were performed by Apparatus for Measurement of Thermal Impedance which allows to heat each transistor of power module and to measure the temperature response of other transistors. Measuring thermal impedance matrix components was done by analysis of the thermal impedance on modulation frequency dependence. This method can be used not only for MOSFET- or IGBT-transistors but also for hybrid integrated circuits and PCBs.

Keywords: thermal resistance, thermal impedance matrix, power modules, modulation method.

Для цитирования:
В. И. Смирнов, В. А. Сергеев, А. А. Гавриков, А. М. Шорин. Измерение перекрестных тепловых сопротивлений силовых модулей. Журнал радиоэлектроники [электронный журнал]. 2019. № 7. Режим доступа: http://jre.cplire.ru/jre/jul19/6/text.pdf
DOI 
 10.30898/1684-1719.2019.7.6