"ЖУРНАЛ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ" N 6, 2015

оглавление

УДК 621.372.832  

ПРИМЕНЕНИЕ ШЛЕЙФНЫХ СТРУКТУР В

МНОГОКАНАЛЬНЫХ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИХ УСТРОЙСТВАХ СВЧ

 

И. А. Петров

ФГУП «ЦНИРТИ им. академика А.И. Берга»

 

Статья получена 23 июня 2015 г.

 

Аннотация. В статье рассматриваются принципы проектирования многоканальных СВЧ переключателей с полупроводниковыми элементами. Анализируются достоинства и недостатки различных схем переключателей. Показано, что применение шлейфных структур с короткозамкнутыми и разомкнутыми шлейфами позволяет расширять диапазон рабочих частот, увеличивать уровни переключаемой мощности, уменьшать ослабление в открытых и увеличивать ослабление в закрытых каналах, уменьшать габариты.

Ключевые слова: шлейфные структуры, переключатели, полупроводниковые элементы.

Abstract. Principles of the designing switching devices with semiconductor elements are considered in article. Value and defect of the different schemes of the switches are given analysis. Using Shunting Structures with short-circuit and open-circuit stub, allows to increase the range a worker frequencies, enlarge the level to power, reduce the weakening in opened and enlarge the weakening in closed channel, reduce the size.

Keywords: shunting structures, switching devices, semiconductor elements.

 

 

1. Основные параметры переключающих ПЭ

 Управляющие устройства СВЧ диапазона с полупроводниковыми элементами предназначены для управления амплитудой и фазой сигналов, переключения сигналов по различным каналам. На их основе строятся различные устройства: выключатели высокочастотные (ВВЧ), аттенюаторы электрически регулируемые (АЭР), многоканальные переключатели и переключающие матрицы, фазовращатели. Управляющим устройствам посвящено достаточно большое количество работ, но остановимся только на некоторых из них, которые, по мнению автора, внесли определенный вклад в развитие теории и практической реализации данных устройств. Первые работы по управляющим устройствам появились в 50 – е годы 20 века, например [1], далее работы [2-4], из отечественных отметим работы [5-13].

Первоначально в управляющие устройствах применялись ПЭ не предназначенные для целей управления, это были диоды с p-n переходами, диоды Ганна, ЛПД и другие. В настоящее вр