Оптимизация формирования полевых
гетеротранзисторов в составе элементов памяти DRAM с целью увеличения их плотности
Е. Л. Панкратов1,2,
Е.А. Булаева1
1 Нижегородский государственный университет им. Н.И.
Лобачевского,
03950, Нижний Новгород, пр. Гагарина 23
2 Волго-вятский филиал Московского технического университета связи
и информатии, 603011, Нижний Новгород, ул. Менделеева 15
Статья
поступила в редакцию 25 января 2017 г.
Аннотация. В данной работе рассматривается способ увеличения плотности
полевых транзисторов в составе элементов памяти DRAM с одновременным уменьшением
их размеров. В рамках предлагаемого способа необходимо легировать с помощью
диффузии или ионной имплантации необходимые участки гетероструктуры
специфической конфигурации и оптимизировать отжиг примеси и/или радиационных
дефектов (после имплантации ионов примеси). Анализ перераспределения примеси с
учетом перераспределения радиационных дефектов с целью оптимизации
рассматриваемого отжига проводился с помощью предложенной ранее методики,
позволяющей проводить анализ массо- и теплопереноса в многослойных структурах
без сшивки решений на границах раздела между слоями с учетом нелинейности
рассматриваемых процессов и изменения во времени их параметров.
Ключевые слова: полевые гетеротранзисторы, элементы памяти DRAM, оптимизация формирования,
увеличение плотности гетеротранзисторов.
Abstract. In this paper we consider an
approach to increase density of field-effect transistors framework elements of
DRAM and at the same time to decrease their dimensions. In the framework of this
approach it is necessary to dope required areas of heterostructure with
specific configuration by diffusion or ion implantation and to optimize annealing
of dopant and/or radiation defects (after ion implantation). Analysis of redistribution
of dopant with account of redistribution of radiation defects for optimization
of annealing of dopant and /or radiation defects has been done by using recently
introduced analytical approach. The approach gives a possibility to analyze
mass and heat transports in a heterostructure without crosslinking of solutions
on interfaces between layers of the heterostructure with account to nonlinearity
of these transports and variation in time of their parameters.
Keywords: field-effect heterotransistors, DRAM
elements, optimization of manufacturing, increasing of density of heterotransistors.
Ссылка на статью:
Е.Л.Панкратов, Е.А. Булаева. Оптимизация формирования
полевых гетеротранзисторов в составе элементов памяти DRAM с целью увеличения их плотности. Журнал радиоэлектроники
[электронный журнал]. 2017. №3. Режим доступа: http://jre.cplire.ru/jre/mar17/3/text.pdf