"ЖУРНАЛ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ" ISSN 1684-1719, N 3, 2017

оглавление              текст:   pdf   

УДК 621.382.088

Теплоэлектрические процессы в гетеропереходном светоизлучающем диоде при воздействии на него мощного импульсного СВЧ излучения

 

А. М. Ходаков, В. А. Сергеев, А. А. Гавриков

Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, 432071, Ульяновск, ул. Гончарова, д. 48/2

 

Статья поступила в редакцию 22 марта 2017 г.

 

Аннотация. Представлена теплоэлектрическая модель теплового поражения гетеропереходного светодиода мощным СВЧ электромагнитным импульсом, с учетом нелинейных температурных зависимостей плотности тепловой мощности и теплофизических характеристик материалов структуры. Приводится рассчитанная по разработанной модели зависимость мощности теплового поражения полупроводниковой структуры от длительности воздействующего импульса для различных типов гетероструктур светоизлучающих диодов.

Ключевые слова: импульс СВЧ излучения, тепловое поражение, мощность теплового поражения, температура.

Abstract. One of the possible causes of failures of heterojunction light-emitting diodes under the influence of powerful microwave electromagnetic radiation are thermal processes that occur in a LED’s heterojunction structure. A mathematical thermoelectric model of thermal damage of a heterojunction LED was developed in order to investigate the dependence of catastrophic failure of heterojunction LEDs with maximum power of microwave radiation pulse Pk on its length τk. The mathematical description of the model is the joint solution of time-dependent equations of electric and heat conductivity with temperature-dependent thermo-physical and electrical characteristics of the elements of the device structure and bulk density of thermal power. Three LED heating phases corresponding to sequential regimes of work and different external conditions were considered: the LED structure heat in the operation mode until the temperature reaches a steady value; thermal heating of the structure by means of incoming operating electric power of the device and power of electromagnetic radiation; and then melting of its structure. Calculation studies were carried out for AlGaAs/GaAs and InGaN/GaN structures of high-power LEDs on 6H-SiC and Si substrates. Resulting graph calculated from the represented model contains a part of adiabatic heating with heating pulses lengths much less than characteristic time of heat diffusion in the semiconductor structure of the LED and a part of gradual output to the quasistatic heating mode with a minimum striking power. The obtained results were compared with results calculated using the generic Wunsch-Bell model.

Key words: impulse of microwave radiation; thermal damage; thermal damage power, temperature.

 

Ссылка на статью:

А.М.Ходаков, В.А.Сергеев, АА.Гавриков. Теплоэлектрические процессы в гетеропереходном светоизлучающем диоде при воздействии на него мощного импульсного СВЧ излучения. Журнал радиоэлектроники [электронный журнал]. 2017. №3. Режим доступа: http://jre.cplire.ru/jre/mar17/6/text.pdf