УДК 621.382
Влияние радиационного
блистеринга на электрическое сопротивление, морфологию 3Д структуры антимонида
индия для преобразователей Холла
И. В. Перинская
Саратовский
государственный технический университет имени Гагарина Ю.А.,
410054, г. Саратов, ул. Политехническая, д.77
Статья
поступила в редакцию 19 марта 2018 г.
Аннотация.
Исследовано
влияние облучения ионами гелия с ускоряющим напряжением 200 кэВ и дозой 6×1017-6×1018
ион/см2 для образования квазипористой структуры на глубину
слоя эпитаксиального антимонида индия вплоть до подложки арсенида галлия на
электрическое сопротивление морфологию скола, характер, клин травления при
изготовлении рельефного топологического рисунка микроминиатюрных
преобразователей Холла на основе механизма блистеринга. Установленный режим
ионно-ускоренного локального прецизионного химического травления квазипористого
антимонида индия с целью образования необходимого клина травления
топологического рисунка положен в основу технологии уменьшения остаточного
напряжения датчиков Холла, используемых в СВЧ твердотельной электронике.
Ключевые
слова: ионно-лучевая
обработка, ионная имплантация, механизм блистеринга, гетероэпитаксиальный
антимонид индия.
Abstract.
Radiation influence by helium ions with energy 200
keV and a dose
6×1017-6×1018
ion /sm2 for formation of quasiporous structure on depth a layer of
epitaxial antimonite India is investigated up to a gallium arsenide substrate
on chip morphology, character, an etching wedge at production of relief
topological drawing microminiature converters of the Hall on the basis of the
blistering mechanism.
The
samples were GaAs-based n-InSb-i-GaAs with the thickness of the epitaxial film
of indium antimonide 2 µm. Implantation of helium ions (He+) was
carried out in vacuum 10-5 Pa in continuous mode. The dose of
implantation varied within 6·1017-6·1018
ion/cm2, ion current density 1·10-9-3·10-6
A·cm-2.
Chemical etching to the substrate of gallium arsenide was carried out with
layer-by-layer control of resistivity by a four-probe method.
The
nature of etching of the epitaxial layers of antimonite implanted by ions of
helium India on depth was studied on a raster electronic microscope, a wedge of
etching and topology of the – sensor on an optical microscope in various
chemical solutions.
An
experimental dependence of the conductivity of n-InSb-i-GaAs samples implanted
by helium ions with an energy of 100, 200 keV in the dose range of helium ions
was obtained. The wedge of etching the samples of the upper part of the
cross-section to a depth of 1.5 μm
is equal to 90°.
As
a result on a plate of structure n-InSb-i-GaAs in one process (a group way) 400
pieces of primary converters of Hall with the size of residual tension of
≤0,05
mV are received. An exit of suitable has made 86%.
The
set mode of the ion-accelerated local precision chemical etching of quasiporous
antimonite India for the purpose formation a necessary wedge of etching the
topological drawing is the basis for technology of reduction residual tension
the sensors of Hall used in the microwave oven to solid-state electronics.
Keywords:
ion-beam processing,
ionic implantation, blistering mechanism,
heteroepitaxial India antimonite.
Для цитирования:
И. В. Перинская. Влияние
радиационного блистеринга на электрическое сопротивление, морфологию 3Д
структуры антимонида индия для преобразователей Холла. Журнал радиоэлектроники
[электронный журнал]. 2018. №3. Режим доступа: http://jre.cplire.ru/jre/mar18/11/text.pdf
DOI
10.30898/1684-1719.2018.3.6