ЖУРНАЛ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ. eISSN 1684-1719. 2024. №3

Оглавление выпуска

Текст статьи (pdf)

English page

 

 

DOI: https://doi.org/10.30898/1684-1719.2024.3.1

УДК: 530.145.1:530.145.6:530.145.61

 

модель поведения КВАНТОВОЙ ЧАСТИЦЫ

в потенциальной ЯМе С ПОДВИЖНОЙ СТЕНКОЙ

 

А.И. Карцев 1,2, А.А. Сафронов 2, М.И. Махов 3

 

1 Вычислительный центр ДВО РАН

680000, Россия, г. Хабаровск, ул. Ким Ю Чена, д. 65

2 МИРЭА – Российский технологический университет

119454, Москва, пр-т Вернадского 78

3 Российский университет дружбы народов

117198, Москва, ул. Миклухо-Маклая, д. 6

 

Статья поступила в редакцию 5 февраля 2024 г.

 

Аннотация. В данной работе найдено аналитическое выражение для энергетического спектра в одномерной потенциальной яме с бесконечно высокими стенками. Одна из стенок с координатой x = 0 неподвижна, другая стенка, имеющая в начальный момент времени координату x = a, движется с постоянной скоростью. Полученные результаты могут быть использованы для модулирования работы вакуумных наноустройств.

Ключевые слова: потенциальная яма, квантовая частица, энергетический спектр, вакуумный нанотранзистор.

Автор для переписки: Сафронов Александр Аркадьевич, alexsafronov@yandex.ru

 

Литература

1. Chen B. et al. Nanoscale air channel devices-inheritance and breakthrough of vacuum tube // Nano Materials Science. – 2024.

2. Samizadeh Nikoo M. et al. Nanoplasma-enabled picosecond switches for ultrafast electronics // Nature. – 2020. – Т. 579. – №. 7800. – С. 534-539.

3. Han J. W., Sub Oh J., Meyyappan M. Vacuum nanoelectronics: Back to the future?–Gate insulated nanoscale vacuum channel transistor // Applied physics letters. – 2012. – Т. 100. – №. 21.

4. Li N. et al. Sub‐Picosecond Nanodiodes for Low‐Power Ultrafast Electronics // Advanced Materials. – 2021. – Т. 33. – №. 33. – С. 2100874.

5. DI H. J. W. S. M. L. M. Hunter G Meyyappan M Nanoscale vacuum channel transistors fabricated on silicon carbide wafers Nat // Electron. – 2019. – Т. 2. – С. 405-411.

6. Han J. W., Moon D. I., Meyyappan M. Nanoscale vacuum channel transistor // Nano letters. – 2017. – Т. 17. – №. 4. – С. 2146-2151.

7. Nguyen D. H. Influence of the confining potential on the linewidth of a quantum well. Superlattices and Microstructures. 2021. V.160. P.107068. https://doi.org/10.1016/j.spmi.2021.107068

8. Surender P., Vipin K. Dirac fermions in zigzag graphene nanoribbon in a finite potential well. Physica B: Condensed Matter. 2021. V.614. P.412916. https://doi.org/10.1016/j.physb.2021.412916

9. Sitnitsky A.E. Exactly solvable double-well potential in Schrödinger equation for inversion mode of phosphine molecule. Computational and Theoretical Chemistry. 2021. V.1200. P.113220. https://doi.org/10.1016/j.comptc.2021.113220

10. Costa B.G., Gomez I.S. Information-theoretic measures for a position-dependent mass system in an infinite potential well. Physica A: Statistical Mechanics and its Applications. 2020. V.541. P.123698. https://doi.org/10.1016/j.physa.2019.123698

11. Leonel E.D., Kuwana C.M., Yoshida M., Oliveira J.A. Chaotic diffusion for particles moving in a time dependent potential well. Physics Letters A. 2020. V. 384. №28. P.126737. https://doi.org/10.1016/j.physleta.2020.126737  

12. Юрасов Н.И., Мартинсон Л.К. Движение микрочастицы в одномерной прямоугольной потенциальной яме с подвижной стенкой. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Серия «Естественные науки». 2015. №6 (63). С. 40–45. https://doi.org/10.18698/1812-3368-2015-6-40-45

Для цитирования:

Карцев А.И., Сафронов А.А., Махов М.И. Модель поведения квантовой частицы в потенциальной яме с подвижной стенкой. // Журнал радиоэлектроники. – 2024. – №. 3. https://doi.org/10.30898/1684-1719.2024.3.1