Перераспределение имплантированной в многослойную структуру примеси при лазерном отжиге радиационных дефектов

Е.Л. Панкратов
Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород
 

Получена 26 апреля 2007 г.

     В настоящей работе проведен анализ динамики перераспределения имплантированной в многослойную структуру примеси с учетом температурной зависимости коэффициента диффузии в процессе отжига радиационных дефектов лазерными импульсами. Показано, что неоднородность твердотельной структуры позволяет увеличить резкость p-n-перехода, сформированного в результате имплантации, и равномерность распределения примеси в обогащенной ею области. Получены условия на пространственное распределение свойств имплантационно-легированной твердотельной структуры, при которых формируется более резкий p-n-переход с более равномерным распределением примеси в обогащенной ею области по сравнению с однородной структурой.