Получена
13 мая 2011 г.
Аннотация. Ранее было показано, что формирование диффузионных и
имплантационных p-n-переходов в полупроводниковых
гетероструктурах и оптимизация отжига позволяет сформировать более мелкие p-n-переходы с более равномерным распределением примеси.
В данной работе рассматривается возможность применения радиационной обработки
материалов для одновременного усиления обоих эффектов.
Ключевые слова: увеличение резкости p-n-переходов;
радиационная обработка материалов.
Abstract. Recently it has been elaborated an approach to decrease depth
of diffusive- and implanted-junction rectifiers by manufacturing the rectifiers
in a semiconductor heterostructure and optimization of annealing of dopant and
radiation defects. At the same time with decreasing of depth of p-n-junction
homogeneity of dopant distribution in doped area increases. In this paper we analyzed
possibility to increase the both effects at one time by radiation processing of
materials of the heterostructure.
Keywords: increasing of sharpness of
a p-n-junctions; radiation processing of materials.