ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР С РАСПРЕДЕЛЕННЫМ ЭМИТТЕРОМ И ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ ПРИБОРЫ НА ИХ ОСНОВЕ

Б. С. Муравский, Г. П. Рубцов, Л. Р. Григорьян, О. Н. Куликов
Кубанский государственнй университет

Получена 11 октября 2000г.

Рассмотрены результаты исследований электрофизических и фотоэлектрических свойств транзисторных структур, содержащих распределенный по всей площади кристалла эмиттерный p⁺-n – переход и локальный контакт к n – области с поверхностным потенциальным барьером, возникающим либо за счет наличия поверхностных состояний, либо за счет локального введения в приповерхностный слой атомов примеси, создающих в запрещенной зоне глубокие энергетические уровни. Приведены параметры и характеристики созданных на основе особенностей свойств структур оригинальных функциональных приборов.

xxx