УДК
621.382
Профили легирования AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT-структур
П. А. Змановский 1,
Н. Д. Ильюшина 2, М. М. Абдулов 1,
А. К. Смирнова 1,2, М. Н. Дроздов 3,
А. А. Веденеев 1,2, М. П. Духновский 1
1 АО «НПП «Исток»
им. Шокина», 141190, г. Фрязино, ул. Вокзальная, д. 2А
2 РТУ МИРЭА
филиал в г. Фрязино, 141190, г. Фрязино ул. Вокзальная, д. 2А
3 Институт физики
микроструктур Российской академии наук (ИФМ РАН), 603087, г. Нижний
Новгород, ул. Академическая, д. 7
Статья
поступила в редакцию 10 июня 2019 г., после доработки 7 октября 2019 г.
Аннотация.
В
настоящей работе посредством вторичной ионной масс-спектрометрии изучается распределение
атомов кремния в AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT-структурах с фоновым
легированием, выращенных по технологии МОС-гидридной эпитаксии. Проведен
сравнительный анализ C-V
характеристик таких структур, с помощью электронной оже-спектроскопии изучено
взаимодействие SiH4
c поверхностью
GaAs(001).
Ключевые слова:
вторичная ионная масс-спектрометрия, эпитаксия, pHEMT-структура.
Abstract. In
the present paper by means of secondary ion mass-spectrometry we study Si atoms
distribution in MOCVD AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT-structures with the background
doping. The C-V measurements of such structures and Auger electron spectroscopy
study of SiH4 interaction with GaAs(001) are also presented below.
Key words:
secondary ion mass-spectrometry, epitaxy, pHEMT-structure.
Для цитирования:
П.
А. Змановский, Н. Д. Ильюшина, М. М. Абдулов, А. К. Смирнова, М. Н. Дроздов, А.
А. Веденеев, М. П. Духновский. Профили легирования AlGaAs/InGaAs/GaAs
pHEMT-структур. Журнал радиоэлектроники [электронный журнал]. 2019. № 10. Режим
доступа: http://jre.cplire.ru/jre/oct19/4/text.pdf
DOI 10.30898/1684-1719.2019.10.4