О способе оптимизации
формирования переключателя на базе гетероструктур с целью увеличения плотности его элементов.
Влияние механических напряжений
Е. Л. Панкратов 1,2
1 Нижегородский государственный
университет им. Н.И. Лобачевского,
603950, Нижний Новгород, пр. Гагарина 23
2 Нижегородский государственный
технический университет им. Р.Е. Алексеева, 603950, Нижний Новгород, ул. Минина 24
Статья поступила в редакцию 9 октября 2019 г.
Аннотация. В данной работе предлагается способ увеличения плотности
полевых гетеротранзисторов, входящих в состав загрузочного аналогового переключателя.
В рамках данного способа рассматриваемый фильтр формируется на базе трехслойной
гетероструктуры со специфической конфигурацией. Необходимые ее участки
легируются с помощью диффузии или ионной имплантации. Далее рассматривается
оптимизированный отжиг примеси и/или радиационных дефектов. В рамках данной
работы также проводится анализ возможности уменьшения существующих в
гетероструктурах механических напряжений. Предложена аналитическая методика
анализа массо- и теплопереноса в гетероструктурах, протекающих в процессе
производства интегральных схем, с учётом механических напряжений.
Ключевые слова: загрузочный аналоговый переключатель; оптимизация
формирования; увеличение степени интеграции элементов.
Abstarct. In this paper we introduce an
approach to increase density of field-effect transistors framework a bootstrapped
analogue switch. Framework the approach we consider manufacturing the inverter
in heterostructure with specific configuration. Several required areas of the
heterostructure should be doped by diffusion or ion implantation. After that
dopant and radiation defects should by annealed framework optimized scheme. We
also consider an approach to decrease value of mismatch-induced stress in the
considered heterostructure. We introduce an analytical approach to analyze mass
and heat transport in heterostructures during manufacturing of integrated
circuits with account mismatch-induced stress.
Keywords: bootstrapped analogue switch, optimization
of manufacturing, increasing of element integration rate.
Для цитирования:
Е.Л.Панкратов.
О способе оптимизации формирования переключателя на базе гетероструктур с целью увеличения
плотности его элементов. Влияние механических напряжений. Журнал
радиоэлектроники [электронный журнал]. 2019. № 10. Режим доступа: http://jre.cplire.ru/jre/oct19/7/text.pdf
DOI
10.30898/1684-1719.2019.10.7