УДК 537.872.31.029.66/.71,  621.315.595

ГЕНЕРАЦИЯ ТЕРАГЕРЦОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ПРИ МЕЖЗОННОМ ФОТОВОЗБУЖДЕНИИ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЁВ n-GaN

 

А. О. Захарьин¹, А. В. Бобылев^1,2, А. А. Усикова¹, А. В. Андрианов¹

¹ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН

² Национальный исследовательский университет «Санкт-Петербургский государственный политехнический университет»

Получена 17 декабря 2012 г.

Аннотация. Сообщается об экспериментальном обнаружении и исследовании люминесценции в терагерцовой (ТГц) области спектра при стационарном межзонном фотовозбуждении эпитаксиальных слоёв n-GaN(Si). Свойства обнаруженного ТГц излучения свидетельствуют о том, что излучение возникает вследствие захвата неравновесных электронов на ионизованные донорные центры. Оптические переходы типа 2P → 1S между первым возбуждённым и основным состоянием донорной примеси вносят основной вклад в ТГц фотолюминесценцию.

Ключевые слова: спектроскопия, терагерцовое излучение, легированные полупроводники, фотолюминесценция.

Abstract: We report on experimental observation and study of terahertz (THz) luminescence under continuous-wave interband excitation of n-GaN(Si) epitaxial layers. Properties of the THz emission show that the emission occurs due to capture of non-equilibrium electrons on ionized donor centers. Optical transitions of 2P → 1S type between first excited and ground donor states give main contribution in THz photoluminescence.

Keywords: spectroscopy, terahertz radiation, doped semiconductors, photoluminescence.