The C-V characteristics
of n-channel JFET have been measured as a function of temperature up to 140 0C
and γ- rays up to 100 kGy. The results show that the input capacitance Ciss
is an increasing function of temperature when measured at small bias voltage
and low frequency bands. On the other hand, Ciss was shown to
decrease from 11.68 down to 8.17 nF due to
γ- exposure up to 100 kGy. In addition, the physical parameters of the
gate-source junction were investigated, where their values were to shown to be
funcion of both temperature increasing and γ- exposure. The values of
the Y- parameters of common-source amplifier were calculated under influence of
temperature and γ- rays. The result shows that, the susceptance component
of the admittance increases due to temperature increasing, while decreasing
after γ- exposure. The investigation was extended to include the
temperature and radiation effects on the cutoff frequency fT0 . It
is clear from calculations that, as the temperature increases from 30 0C
up to 140 0C, fT0 dropped from 47 MHz down to 5 MHz, at
0.8 Volt. On the other hand its value was shown to increase from 43 MHz up to
102 MHz, at 0.8 Volt, due to γ- exposure up to 100 kGy.
Keywords:
JFET, input capacitance, Y-parameters quality
factor, dissiption factor, phase
angle, impedance, cutoff frequency.
Определение
(C-V) и Y-параметров полевого
транзистора с управляющим p-n переходом при различных
условиях окружающей среды
С. М. Эл-Ханам
Университет Каира, Египет
Получена 17 июля 2009 г.
Были измерены
вольтамперные характеристики n-канального полевого транзистора как функции
температуры до 140 градусов и гамма-облучения до 100 kGy. Резуьтаты
показывают, что входная емкость растет с температурой при измерении с малым
напряжением смещения и в низкой полосе частот. С другой стороны, показано, что
Ciss уменьнается от 11.68 до 8.17 nF при гамма-облучении до 100 kGy. Также
были исследованы физические характеристики перехода затвор-исток, которые
оказались зависящими от повышения температуры и от гамма-облучения. Были
рассчитаны зависимости значений Y-параметров усилителя с общим истоком от
температуры и гамма-облучения. Оказалось, что реактивная часть адмитанса
увеличивается при увеличении температуры и уменьшается при гамма-облучении.
Было также исследовано влияние температуры и радиации на частоту отсечки fT0.
Из вычислений следует, что при росте температуры от 300C до 1400C fT0
падает с 47 MHz до 5 MHz при 0.8 V. С другой стороны, ее значение
увеличивается с 43 MHz до 102 MHz при 0.8 V благодаря гамма-облучению до 100
kGy.
Ключевые слова: полевой транзистор, входная емкость, Y-
параметр, коэффициент потерь, фазовый угол, импеданс, частота отсечки.