УДК  621.3.049.7.029

МЕТОДИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ СТОЙКОСТИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ В ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ПОЛЯХ  ИМПУЛЬСНОГО РАДИОИЗЛУЧЕНИЯ

 

А. В. Ключник¹, Ю. А. Пирогов², А. В. Солодов¹

 

¹ Московский радиотехнический институт РАН

² Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова,

Центр магнитной томографии и спектроскопии

 

Получена 21 июля 2010 г.

 

Аннотация. Представлен анализ ключевых моментов в методике исследований интегральных микросхем на стойкость в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения.  Проведено сравнение условий экспериментальных исследований с реальными условиями облучения ИМС, расположенных на печатных платах радиоэлектронной аппаратуры.

Ключевые слова: методика, стойкость, повреждение, интегральные микросхемы, радиоимпульс.