УДК 621.38-022.532

ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ПОЛИЭФИРСУЛЬФОНА (PES) ДЛЯ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ЛИТОГРАФИИ

 
А. С. Ильин, А. А. Кузьмин, А. Г. Коваленко

Институт Радиотехники и Электроники им. В.А.Котельникова РАН

 

Получена 10 августа 2011 г.

 

Аннотация: Исследована возможность применения нового технологического процесса изготовления микроструктур методом электронно-лучевой литографии с использованием негативного резиста, основанного на промышленном полимере полиэфирсульфоне (PES). PES является термостабильным и относительно инертным полимером, что позволяет использовать его при магнетронном распылении тугоплавких металлов, в частности титана, молибдена или ниобия, не опасаясь загрязнения образцов вследствие дегазации резиста при высокой температуре. Это свойство данного материала позволяет успешно использовать его в области сверхпроводниковой микроэлектроники, когда чистота сверхпроводника является одной из приоритетных задач технологических процессов.

Ключевые слова: электронно-лучевая литография, полиэфирсульфон, PES, термостабильный резист, технология микронных, субмикронных и нанометровых сверхпроводниковых структур.

Abstract: The possibility of a new technological process of manufacturing of microstructures by electron-beam lithography with negative resist based on an industrial polymer poly(ether sulfone) (PES) is investigated. PES is thermostable and relatively inert polymer, which makes it suitable for magnetron sputtering of refractory metals, such as titanium, molybdenum or niobium without fear of contamination of samples by degassing of resist at high temperatures. This property of the material can be successfully used in the field of superconducting microelectronics, where the purity of a superconductor is one of the priorities of processes.

Keywords: electron-beam lithography, poly(ether sulfone), PES, thermostable resist, technology of micron, submicron and nanometer-scale superconducting structures.