УДК 621.382.01, 621.382.2

Параметры микроволновых детекторов на основе низкобарьерных диодов Мотта

для матричных систем радиовидения

 

В. И. Шашкин, А. В. Мурель, Н. В. Востоков

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

 

Получена 27 июня 2013 г.
 

Аннотация. В работе приводятся экспериментальные результаты исследования детекторов миллиметрового диапазона длин волн (94 ГГц) на основе низкобарьерных диодов на арсениде галлия, изготовленных с применением техники приповерхностного изотипного дельта-легирования. Варьированием параметров дельта-слоя возможно изменение в широком диапазоне эффективной высоты барьера диодов, что актуально для получения матриц систем радиовидения из детекторов, работающих без напряжения смещения. Оптимальными характеристиками обладают детекторы с диодами, имеющими эффективную высоту барьера ~0.3 эВ, что показано теоретически и подтверждено экспериментом. Определены зависимости параметров детекторов от входной мощности, поляризации сигнала и температуры.

Ключевые слова: арсенид галлия, диод, детектор, дифференциальное сопротивление, вольт-ваттная чувствительность.

Abstract: The paper presents experimental results of a study of detectors millimeter-wave (94 GHz) based on low-barrier gallium arsenide diodes made with the use of technology of the surface isotype-delta doping. By varying the parameters of the delta-layer diodes is possible to obtain a wide range of values of the barrier height, which is important for microwave imaging matrix systems that require detectors working without bias. Optimum performance of the detectors are diodes having the effective barrier height of ~0.3 eV as shown theoretically and confirmed by experiment. Dependence parameters of microwave detectors on the input power, signal polarization and temperature was studied.

Key words: gallium arsenide, diode, detector, differential resistance, responsivity.