УДК 621.382

МОДЕЛИРОВАНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ
ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ МОЩНОГО СВЧ-ИМПУЛЬСА. БИПОЛЯРНЫЕ СТРУКТУРЫ
 

 С. А. Мещеряков
 

 Федеральное автономное учреждение "Государственный научно-исследовательский
испытательный институт проблем технической защиты информации ФСТЭК России"

 Получена 2 декабря 2013 г.

 

Аннотация. В рамках численной модели в диффузионно-дрейфовом тепловом приближении приведены результаты моделирования физических процессов, протекающих в кремниевой биполярной полупроводниковой структуре при воздействии импульсного сверхвысокочастотного электромагнитного излучения. Представлены энергомощностные и температурные характеристики поведения структуры в широком диапазоне длительностей однократного импульсного воздействия в зависимости от ее конструктивно-технологических параметров.

Ключевые слова: численная модель, диффузия, дрейф, биполярная структура, СВЧ-импульс, тепловое поражение.

Abstract. Results of simulation of the physical processes in silicon bipolar structures at microwave pulse action of electromagnetic radiation are given within the limits of numerical model in drift-diffusion thermodynamic approach. Power and temperature characteristics of structures in durations wide range of the single pulse action depending on their constructive-technological parameters are presented.

Key words: numerical model, diffusion, drift, bipolar structure, microwave pulse, thermal damage.