Распределение примеси
в многослойной структуре при формировании транзисторных структур
Е.Л. Панкратов
Институт физики
микроструктур РАН, Нижний Новгород
Получена 9 января
2008 г.
В настоящей работе проведен анализ динамики перераспределения
примеси в многослойной структуре в процессе формирования транзисторных
структур. Предложен способ
увеличения резкости диффузионных и имплантационных p-n-переходов,
входящих в состав транзисторной структуры, а также увеличения равномерности
распределения примеси в обогащенной ею области. Проведена оптимизация
длительности отжига, позволяющая одновременно увеличить и равномерность
распределения примеси в обогащенной ею области, резкость p-n-переходов.
|