УДК 538.958, 546.03

ИССЛЕДОВАНИЕ d - ЛЕГИРОВАННЫХ n-i-p-i-n СТРУКТУР GaAs МЕТОДОМ СПЕКТРОСКОПИИ ФОТООТРАЖЕНИЯ

Л. П. Авакянц¹, П. Ю. Боков¹, И. В. Бугаков¹, Т. П. Колмакова², А. В. Червяков¹

¹ физический факультет МГУ имени М.В. Ломоносова, кафедра общей физики

 ² ОАО «Оптрон», Москва

 

Получена 15 января 2010 г.  

Аннотация. Методом спектроскопии фотоотражения исследованы полупроводниковые nipin-структуры арсенида галлия с дельта-легированными слоями p-типа. Из анализа осцилляций Франца-Келдыша определены напряженности встроенных электрических полей и энергии межзонных переходов структуры. Обнаружено увеличение энергии межзонного перехода в области дельта-легирования, что объясняется эффектом Бурштейна-Мосса вследствие фотогенерации носителей.
 

Ключевые слова: гетеоструктуры, фотоотражение, дельта-легирование.