УДК
621.385.2.029
Обратимые
отказы интегральных микросхем в
полях радиоизлучения
А. В. Ключник 1, Ю.
А.
Пирогов 2, А. В. Солодов 1
1 Московский радиотехнический институт Российской
академии наук
2 Московский государственный университет
имени М.В. Ломоносова, физический факультет
Получена 29 января 2013 г.
Аннотация. Проанализированы
результаты экспериментальных исследований воздействия радиоизлучения на
современные интегральные микросхемы и
электронную аппаратуру. Проведено сопоставление уровней обратимых отказов в
работе микросхем с уровнями функциональных сбоев аппаратуры, которое позволяет
констатировать их хорошее совпадение.
Ключевые слова:
обратимые отказы, интегральные
микросхемы, электронная аппаратура, функциональные сбои.
Abstract.
Results of experimental and theoretical
investigations of radio action on modern integral microchips and
electronic devices are analyzed. Comparison of reversible failure levels
in microchips operation with functional failure levels of equipment allows establishing
their good coincidence.
Keywords:
reversible
failures, integral microchips, electronic equipment, functional failures.