c1.gif (954 bytes) "ЖУРНАЛ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"  N 6, 2002

оглавление

дискуссия

c2.gif (954 bytes)

 

НАБЛЮДЕНИЕ ЭФФЕКТА ДВУСТОРОННЕЙ ПАМЯТИ ФОРМЫ, ОБУСЛОВЛЕННОГО  МАГНИТОИНДУЦИРОВАННЫМ СТРУКТУРНЫМ ПЕРЕХОДОМ В ПОЛИКРИСТАЛЛАХ ФЕРРОМАГНИТНОГО СПЛАВА  Ni2,15Mn0,81Fe0,04Ga

 

И.Д.Борисенко, К.В.Боярчук, В.Д.Бучельников, И.Е.Дикштейн, Д.И.Ермаков, В.В.Коледов, Е.П.Красноперов, В.В.Ховайло, Т. Такаги, Т.О.Худавердян, В.Г.Шавров

Институт радиотехники и электроники РАН, 101999 Москва

Поступила в редакцию 14.06.02 г.

 

            Методом дуговой плавки получены поликристаллические образцы ферромагнитного сплава с памятью формы Ni2,15Mn0,81Fe0,04Ga. Путем термоциклирования под нагрузкой («тренировки») стержней выполненных из слитков получены образцы с 2-х сторонней памятью формы. Многократно восстанавливаемая деформация изгиба через точку мартенситного перехода превысила 1%. Исследована деформация образцов в магнитном поле до 14 Тл и продемонстрирована возможность магнитного управления 2-х сторонней памятью формы при постоянной температуре

 

Mn-содержащие сплавы Гейслера Ni-Mn-Ga вызывают растущий интерес исследователей благодаря тому, что в них наблюдается редкое сочетание ферромагнитных свойств и структурного (мартенситного) фазового перехода из кубической высокотемпературной фазы (аустенит) в тетрагональную низкотемпературную фазу (мартенсит) [1], которое делает их перспективными для поиска новых сильных магнитомеханических эффектов. Мартенситный переход в Ni-Mn-Ga имеет термоупругий характер и сопровождается одно- и  двусторонним эффектами памяти формы (ЭПФ) [2].

В принципе, существуют два различных физических механизма, которые могут обеспечить проявление «колоссальных» магнитомеханических эффектов с характерными деформациями e ³ 1% [3]. Деформации могут быть вызваны магнитоиндуцированным движением границ между различными вариантами (структурными доменами) мартенситной фазы ниже температуры мартенситного перехода или смещением под действием магнитного поля границы мартенсит – аустенит в области промежуточного состояния близи точки перехода. Первый механизм (см., например, [4] и приведенную там литературу) обладает преимуществами более высокого быстродействия и сравнительно небольших управляющих полей. Второму механизму свойственны дешевизна и технологичность используемых поликристаллов вместо монокристаллов, а так же уникальная универсальность достижимых изменений формы под действием магнитного поля. Управляемый магнитным полем «классический», то есть вызванный магнитоиндуцированным структурным переходом ЭПФ способен восстанавливать любой вид деформации – сжатие, растяжение, изгиб, кручение и т.д (см. [5-7], а так же видеодемонстрации через ИНТЕРНЕТ [8,9] http://jre.cplire.ru/jre/may01/1/text.html , http://jre.cplire.ru/jre/june02/2/text.html ).

Значительный интерес представляет и так называемый  двухсторонний эффект память формы (ДСЭПФ) [10]. Он наблюдается в предварительно сильно деформированных («тренированных») образцах материалов с термоупругим мартенситным переходом. Природа этого эффекта так же связана со структурным переходом, но в обратимом изменении формы образца принимают участия матрицы дефектов, по-видимому дислокаций, которые в процессе тренировки создаются в соответствующих участках образца. В отличие от двойниковых границ, которые так же являются дефектами решетки и при мартенситном переходе зарождаются и движутся, создавая, специфическую «обратимую» или «квазипластическую» деформацию, матрицы дислокаций создают в объеме образца поле внутренних напряжений. Деформируясь в этом поле напряжений при структурном переходе, образец многократно обратимо меняет свою форму.

 Цель настоящей работы заключалась в исследовании эффекта двусторонней памяти формы, вызванного магнитоиндуцированным мартенситным переходом по полю при постоянной температуре в поликристаллических образцах Ni2,15Mn0,81Fe0,04Ga.

Слитки такого сплава изготовляли по методике [7], а затем из них вырезали стержни квадратного сечения 0,5х0,5 мм2. В процессе тренировки, которая заключалась в многократном термоциклировании через область мартенситного перехода под нагрузкой, образцы приобретали обратимую изгибную деформацию. В результате образец приобретал обратимую по температуре кривизну. Фильм 1, демонстрирует эволюцию образца при изменении температуры. Величина относительной деформации в различных участках образца оценивалась по формуле e » h/2R, где h – толщина стержня,  R – локальный радиус кривизны в точке изгиба. Достигнуты значения деформаций e »  1,4%.

 Фильм 1. * Двусторонняя память формы в поликристалле Ni-Mn-Fe-Ga при изменении температуры. Размер образца 0,5х12 мм. *)

Фильм 2. Двусторонняя память формы в поликристаллическом стержне из сплава Ni-Mn-Fe-Ga. Стержень закреплен на левом конце и имеет размеры 0,5х6 мм. Температура поддерживается постоянной. Магнитное поле направлено по нормали к рисунку и изменяется от 0 до 14 Тл. Максимальная восстанавливаемая в поле изгибная деформация составляет e = 1,4 %. *)

 

 

Фильм 2 иллюстрирует обратимое изменение формы образца при постоянной температуре за счет индуцированного включением и выключением магнитного поля прямого и обратного перехода мартенсит – аустенит. В процессе эксперимента по магнитному управлению формой образца тренированный образец помещали в поле Биттеровского магнита 0 - 14 Тл, термостатировали вблизи точки мартенситного превращения,  а эволюцию его формы наблюдали в микроскоп. При помощи видеокамеры изображение фиксировали на пленку и оцифровывали. Зависимость e(T,H) получали в результате анализа изображения. Максимальная многократно обратимо восстанавливаемая деформация в магнитном поле 10 Тл превысила e »1,3 %.  

            Работа поддержана грантами РФФИ-БРФФИ 02-02-81030 Bel2002_a, 02-02-16636a и    Japan Society for the Promotion of Science, Izumi Science Technology Foundation (B) No. 11695038.

 

[1] P.J. Webster, K.R.A. Ziebeck, S.L. Town, M.S. Peak, Philos. Mag. B 49 (1984) 295.

[2] V.V.Kokorin, D.A.Chernenko, PMM 68 (1989) 111.

[3] R.James, M.Wuttig, Phylos. Mag. A 77 (1998) 1273.

[4] S.J. Murray_, M. Marioni, P.G. Tello et al. JMMM 226-230 (2001) 945.

[5] A.D. Bozhko, A.N. Vasil’ev, V.V. Khovailo et al., Sov. Phys. JETP 88 (1999) 954.

[6] ] I.E. Dikshtein, D.I. Ermakov, V.V. Koledov et al., JETP Lett. 72 (2000) 373.

[7] A.A. Cherechukin, I.E. Dikshtein,  et al., Phys. Lett. A 291 (2001) 175.

[8] I.D.Borisenko, K.V.Boyarchuk, V.D.Buchelnikov, Journal of Radioelectronics N 6 (2002) (http://jre.cplire.ru/jre/june02/2/text.html )

[9] V.G.Shavrov, A.V.Glebov, I.E.Dikshtein, Journal of Radioelectronics No. 5 (2001) ( http://jre.cplire.ru/jre/may01/1/text.html ).

[10] W.H.Wang, Z.H.Liu, Z.W.Shan et al. J. Phys. D: Appl. Phys. 35 (2002) 492.

 *) При необходимости покадровый просмотр может быть выполнен с помощью программы Windows Movie Maker. Если в Вашей системе он не установлен, его можно загрузить с сайта http://windowsupdate.microsoft.com

 

оглавление

дискуссия