Уменьшение глубины залегания элементов системы имплантационных p-n-переходов и
увеличение степени интеграции их системы оптимизацией неоднородности и отжига
легируемой структуры
Е.Л. Панкратов,
Нижегородский архитектурно-строительный университет
Получена 15 мая 2010 г.
Аннотация. Ранее было показано, что выбором
параметров многослойной структуры, а также оптимизацией длительности отжига
можно уменьшить глубину залегания одиночных диффузионных и имплантационных p-n-переходов, сформированных в такой структуре,
по сравнению с p-n-переходами, сформированных в однородных образцах.
Аналогично можно увеличить степень интеграции p-n-переходов,
являющихся элементами интегральных схем. Данная работа посвящена анализу перераспределения примеси в
процессе формирования систем имплантационных p-n-переходов (биполярных транзисторов и
тиристоров) в многослойных структурах с целью поиска условий, при которых
происходит одновременное (в течении одного технологического этапа) уменьшение
пространственных размеров p-n-переходов (как глубины залегания,
так и степени интеграции p-n-переходов, являющихся элементами
интегральных схем).
Ключевые слова:
уменьшение глубины залегания имплантационных
p-n-переходов, увеличение степени интеграции системы имплантационных
p-n-переходов, оптимизация отжига.