Повреждения интегральных микросхем в полях
радиоизлучения
Ю. А. Пирогов 1 , А. В. Солодов 2
1 Московский
государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет
2 Московский радиотехнический институт Российской академии наук
Получена 21 июня 2013 г.
Аннотация. Рассмотрены
возможные механизмы, вызывающие деградацию и катастрофические отказы микросхем
в полях мощного радиоизлучения. Проанализированы результаты экспериментальных
исследований и модели, используемые для анализа механизмов повреждения
современных интегральных микросхем при воздействии
радиоизлучения.
Ключевые слова:
деградация, повреждение,
интегральные микросхемы, радиоизлучение.
Abstract.
The possible mechanisms
causing degradation and catastrophic failures of microcircuits in
electromagnetic fields of powerful RF pulses are considered. Results of
experimental researches and the damage mechanism models are analyzed for the
modern integral microcircuits under influence of RF pulses.
Keywords: degradation,
damage, failure, integral microcircuits, RF pulses.