УДК 621.382

ОБ ОЦЕНКЕ МОЩНОСТИ ТЕПЛОВОГО ПОРАЖЕНИЯ ДИОДНЫХ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР ИМПУЛЬСНЫМ
ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫМ ИЗЛУЧЕНИЕМ

 

С. А. Мещеряков

Федеральное автономное учреждение "Государственный научно-исследовательский испытательный институт
проблем технической защиты информации ФСТЭК России"

 

Статья получена 9 июня 2014 г.

 

Аннотация. В рамках численной модели в диффузионно-дрейфовом тепловом приближении приведены результаты расчета энергомощностных характеристик для p – n-переходной структуры и структуры с барьером Шоттки при воздействии импульсного электромагнитного излучения. Показано различие в оценке мощности теплового поражения по двум критериям: падающей внешней мощности и рассеиваемой внутренней мощности. Проведено сравнение энергомощностных характеристик теплового поражения диодных структур для сверхвысокочастотного и прямоугольных импульсов в диапазоне температур теплового разогрева 400...1400 °С.

Ключевые слова: численная модель, полупроводниковая структура, импульсное излучение, мощность теплового поражения.

Abstract: Within the limits of numerical model in drift-diffusion thermal approach of calculation of power characteristics for p-n-structure and structure with a Schottky barrier are given at action of a pulsing electromagnetic radiation are given. Distinction is shown in an estimate of thermal defeat power by two criterions – incident exterior power and diffused interior power. Characteristics of thermal burnout of the diode-structures for microwave and square pulses in a gamut of temperatures of a thermal heating 400 ... 1400 °С is compare.

Key words: numerical model, semiconductor structure, pulse radiation, power of thermal burnout.