Перераспределение
имплантированной в многослойную структуру примеси при лазерном отжиге
радиационных дефектов
Е.Л. Панкратов
Институт физики микроструктур
РАН,
Нижний Новгород
Получена 26 апреля
2007 г.
В настоящей работе проведен анализ динамики перераспределения имплантированной в
многослойную структуру примеси с учетом температурной зависимости коэффициента
диффузии в процессе отжига радиационных дефектов лазерными импульсами. Показано,
что неоднородность твердотельной структуры позволяет увеличить резкость
p-n-перехода, сформированного в результате имплантации, и равномерность
распределения примеси в обогащенной ею области. Получены условия на
пространственное распределение свойств имплантационно-легированной твердотельной
структуры, при которых формируется более резкий p-n-переход с более равномерным
распределением примеси в обогащенной ею области по сравнению с однородной
структурой.
|