УДК 621.38-022.532
ПРИМЕНЕНИЕ ПЛАЗМОСТОЙКОГО НЕГАТИВНОГО
ЭЛЕКТРОННОГО РЕЗИСТА ИЗ ПОЛИЭФИРСУЛЬФОНА ПРИ ИЗГОТОВЛЕНИИ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ К
ПРИМЕСЯМ СВЕРХПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР
А.
С. Ильин, И. А. Кон, А. Г. Коваленко
Институт радиотехники и электроники им. В.А.Котельникова
РАН
Статья
получена 20 ноября 2014 г.
Аннотация: Для изготовления сверхпроводниковых
микроструктур из титана методами электронно-лучевой литографии исследовано
применение негативного плазмостойкого резиста на базе полиэфирсульфона.
Резистные маски из полиэфирсульфона обладают высокой химической, термической и
механической стойкостью. Это позволило избежать негативных последствий
дегазации резиста и его задубливания и получить титановые микроструктуры,
обладающие высокой чистотой, для их применения в сенсорах на краю
сверхпроводникового перехода. Негативность резиста позволяет уменьшить время
экспозиции и снизить риски, связанные с термодрейфом держателя образцов.
Ключевые слова: полиэфирсульфон, электронно-лучевая
литография, негативный резист, дегазация, титан, сверхпроводниковые микроструктуры.
Abstract: Use of negative
plasma-stable resist based on poly(ether sulfone) for superconducting titanium
microstructures fabrication using electron-beam lithography methods is
investigated. Poly(ether sulphone) resist masks show high chemical, thermal and
mechanical stability. This allows to avoid negative effects of resist
outgassing and hardening, and fabricate titanium microstructures of high purity
for their use in transition edge sensors. Resist’s negativity allows to
decrease duration of exposure and to reduce risk related to thermal drift of
specimen holder.
Keywords: poly(ether sulfone),
electron-beam lithography, negative resist, outgassing, titanium,
superconducting microstructures.