"ЖУРНАЛ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ" N 10, 2000 | оглавление |
ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ
СВОЙСТВА ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР С РАСПРЕДЕЛЕННЫМ ЭМИТТЕРОМ И ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ
ПРИБОРЫ НА ИХ ОСНОВЕ
Б. С. Муравский, Г. П. Рубцов,
Л. Р. Григорьян, О. Н. Куликов
Кубанский
государственнй университет
Получена 11 октября 2000г.
Рассмотрены результаты исследований электрофизических и фотоэлектрических свойств транзисторных структур, содержащих распределенный по всей площади кристалла эмиттерный p+-n – переход и локальный контакт к n – области с поверхностным потенциальным барьером, возникающим либо за счет наличия поверхностных состояний, либо за счет локального введения в приповерхностный слой атомов примеси, создающих в запрещенной зоне глубокие энергетические уровни. Приведены параметры и характеристики созданных на основе особенностей свойств структур оригинальных функциональных приборов.
xxx |