УДК: 621.383.933:621.3.029.78

Изменение Вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами

 

А. В. Градобоев ^1,2, К. Н. Орлова ¹, И. А. Асанов ²

¹ Юргинский технологический институт (филиал) Национального исследовательского Томского политехнического университета,
 ²ОАО «Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов», г. Томск

 Получена 17 октября 2013 г.

 

Аннотация. Представлены результаты исследования вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного (630 нм) и желтого (590 нм) свечения при облучении гамма-квантами ⁶⁰Со дозой до 5∙10⁶ Гр и быстрыми нейтронами флюенсом 2∙10¹⁴н/см² в пассивном режиме питания. Показано, что в исследуемом диапазоне доз и флюенсов видимые изменения в вольт-амперных характеристиках (ВАХ) отсутствуют. При этом на ВАХ отчетливо обнаруживаются два этапа, которые согласно оценкам соответствуют областям средней и сильной инжекции. Подробное рассмотрение ВАХ светодиодов в полулогарифмическом масштабе позволяет ассоциировать данные области с двумя механизмами токообразования – инжекцией носителей заряда и инжекцией носителей заряда наряду с модуляцией сопротивления активной области гетероструктур AlGaInP.

Ключевые слова: гетероструктуры AlGaInP, радиационная стойкость, светодиоды.

Abstract. Research results of the current-voltage characteristics of red (630 nm) and yellow (590 nm) AlGaInP light-emitting diodes are presented under irradiation by gamma rays to ⁶⁰Co dose of 5∙10⁶ Gy and fast neutron fluence of 2∙10¹⁴ n/cm². An operating mode is passive. It is shown that changes in the current-voltage characteristics are absent in the all dose and fluences range. The current-voltage characteristics found two distinct phases, which are estimated to correspond to areas of average and strong injection. Detailed investigation of the current-voltage characteristics of LEDs allows to associate these areas with two mechanisms of current generation - the injection of charge carriers and the injection of charge carriers along with the modulation of the AlGaInP active field resistance in the semi-logarithmic scale.

Keywords: heterostructures AlGaInP, radiation hardness, light-emitting diodes.